外資連續買超滿 5 個交易日
觸發中 · 目前 5%外資(不含自營商)買賣超連續 5 日為正,事件日為第 5 日;20 日內重複觸發只計一次
事件後 120 日,歷史上平均 +19.35%
過去 50 次觸發,120 日後平均上漲 19.35%、超越大盤 11.47 個百分點,勝率 58%。
複製提示詞,整理近期事件、歷史反應與研究摘要。
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體質強,估值中性。
獲利能力頂尖。營業利益率贏過全市場約 90% 的個股。最新一季 ROE 約 3.1%。
估值中性。本益比位居全市場第 63 百分位。以自身歷史看,目前本益比約在第 60 百分位。
外資近期偏買。外資近 20 日買賣超約佔成交量 4.0%(買超)。
大戶單向吸貨、集中度上升 — 偏多
窗口 2026-02-28 起 · 股價 +78% · 分點至 2026-07-29· 集保至 2026-07-24
方向一致:大戶佔比上升,散戶佔比下降。
描述籌碼流向,非投資建議。分點僅揭露量大分點、約 1 日遞延;集保為週頻。庫存為自起點的相對重建,非絕對持股。交易台之避險/隔日沖分類係依分點身分推估,非個案確認;淨空未必代表看空。
以下訊號在最近一筆資料中成立,附這檔股票自身歷史上每次出現後的前瞻報酬統計
外資(不含自營商)買賣超連續 5 日為正,事件日為第 5 日;20 日內重複觸發只計一次
事件後 120 日,歷史上平均 +19.35%
過去 50 次觸發,120 日後平均上漲 19.35%、超越大盤 11.47 個百分點,勝率 58%。
把這檔股票每天的本益比,換算成「截至當天為止的自身歷史百分位」,再看不同估值位階之後 240 個交易日的還原股價報酬。
| 本益比百分位區間 | 樣本日數 | 240 日平均報酬 | 中位數 | 上漲機率 | 平均超額(對大盤) |
|---|---|---|---|---|---|
| 0-20 | 582 | +9.8% | -3.3% | 40.9% | -10.5% |
| 20-40 | 431 | +46.7% | +17% | 71% | +22.3% |
| 40-60 現在在這裡 | 434 | +39.6% | +17.1% | 74.2% | +15.7% |
| 60-80 | 495 | +61.5% | +27.5% | 77.2% | +36.2% |
| 80-100 | 269 | +15.5% | +8.6% | 63.9% | +9.7% |
百分位以當天為止的自身歷史滾動計算(expanding),不含未來資訊;前瞻報酬為還原股價 240 交易日。樣本日重疊,僅供分布參考。
目前本益比約 26.31,落在自身歷史第 59.8 百分位,屬於 40-60 區間。
把自身歷史的每一天,依估值位階(本益比自身歷史三分位)與 60 日動能方向分成六格,看各情境之後 120 個交易日的還原股價報酬。
目前處於「中等 × 60 日動能向上」情境,歷史 425 天樣本中,120 日後平均上漲 21.2%、勝率 58.1%,超越大盤 12.4%。
天數:歷史上落在此情境的交易日天數;報酬為還原股價計算,不含交易成本。60 日動能:以此股過去 60 個交易日的股價方向判斷,向上代表近期上漲趨勢,向下代表近期下跌趨勢。
「月營收年增率 ≥ 20%」過去 243 個月,每月平均約 404 檔個股符合條件;這些個股之後 60 個交易日的還原股價報酬,等權平均為 6.99%,平均贏過大盤 2.32 個百分點,在 64.2% 的月份中跑贏發行量加權股價報酬指數。
每月對全市場符合訊號的股票取等權平均前瞻 60 日還原報酬,再對月份平均;超額相對發行量加權股價報酬指數
這些訊號現在沒有發生,列出歷史樣本以供對照
還原股價首次站上過去 252 個交易日最高;20 日內重複觸發只計一次
歷史 20 次,觸發後 60 日平均 +19.82%,勝率 63.2%,平均贏大盤 +11.88 個百分點。
單月營收年增率達 20% 以上;事件日為公告截止日後第一個交易日,避免提前用到未公告資訊
歷史 78 次,觸發後 60 日平均 +11.39%,勝率 62.3%,平均贏大盤 +6.87 個百分點。
富鼎先進電子股份有限公司成立於1998年7月,總部位於新竹縣竹北市台元一街5號12樓,股票代號8261,2004年4月15日上櫃、2009年12月11日上市,屬上市普通股。公司自稱為台灣第一家成功整合6吋DMOS製程的IC設計公司,提供MOSFET、IGBT、Power IC與近年新增之SiC相關電源解決方案。董事長為陳泰銘,總經理為張嘉帥。實收資本額約新台幣11.8878億元,已發行普通股約118,878,393股;公司登記與券商資料顯示主要業務為電子零組件製造、電子元件設計、電子元件測試服務。主要股東與策略背景方面,國創半導體於2022年參與富鼎私募35,000張、金額約28.868億元,交易完成後持股約30.08%,成為最大股東;國創半導體為國巨與鴻海合資平台,後續國巨持股55%、鴻海持股45%,因此富鼎兼具國巨通路與鴻海車用/伺服器/電源生態系資源。員工規模未能由可讀官方年報文字精確確認;公開徵才平台資料約百餘人,Yes123列108人,部分搜尋摘要列約140人,應視為外部平台口徑。
富鼎屬Fabless/輕資產功率半導體設計公司,核心產品為低壓、中壓、高壓MOSFET,並提供IGBT、Power IC、Super Junction、SiC Schottky Barrier Diode、SiC HV MOSFET等產品或解決方案。產品功能為電源開關、電能轉換、整流、逆變、穩壓、馬達驅動與保護,應用涵蓋切換式電源供應器(SPS)、伺服器與AI伺服器散熱風扇(DC Fan)、個人電腦/筆電/平板、顯示器、消費電子、通訊設備、工業、車用電子、電池管理與新能源。2024年度官方營業概況列示營業淨額新台幣2,918,407千元,其中低壓MOSFET約1,217,456千元、約41.7%;中壓MOSFET約945,235千元、約32.4%;高壓MOSFET約692,400千元、約23.7%;其他約63,316千元、約2.2%。2026年第一季法說資料顯示營收新台幣781,527千元,年增9.2%,毛利率38.1%,營益率25.7%,EPS 1.57元;產品別比重約低壓52%、中壓34%、高壓12%、其他約2%。應用別方面,2026年第一季SPS營收321,729千元、占41%,DC Fan營收273,054千元、占35%,Computing營收87,449千元、占11%,其餘為Display與Others。商業模式以自行設計功率元件、委外晶圓代工與封裝測試、以APEC品牌及通路銷售給電源供應器、散熱風扇、PC、顯示器、工業與車用電子客戶為主。公司近年由傳統PC與一般電源供應器應用,轉向伺服器電源、高壓MOSFET與高規格散熱風扇等較高毛利應用。
2025至2028年主要成長動能可分為四類。第一,AI伺服器與資料中心電力架構升級:市場報導與公司法說均指向SPS與高壓MOSFET需求升溫,AI資料中心由傳統低壓架構走向400VDC、800VDC或更高效率供電,對高耐壓、低損耗、高效率MOSFET與Super Junction需求增加;富鼎長期布局高壓MOSFET,2026年SPS仍為最大應用別。第二,伺服器散熱風扇與馬達驅動:2025至2026年DC Fan營收高速成長,2026年第一季DC Fan年增111%、占營收35%,主要受AI伺服器功耗提升、風扇規格升級、BLDC馬達驅動與散熱需求拉動。第三,產品組合升級:低壓、中壓、高壓MOSFET仍是營收主體,但公司官網產品線已納入SiC SBD、SiC HV MOSFET、IGBT與Power IC;若能在高功率SPS、車用、儲能、新能源與工業市場取得設計導入,ASP與毛利率有機會維持較佳水準。第四,國巨/鴻海/國創半導體策略資源:國巨可補強全球通路與車用客戶接觸,鴻海可提供電動車、伺服器、電源與電子製造服務場景,有利於富鼎擴大終端市場。主要風險包括:MOSFET屬競爭激烈且全球IDM龍頭高度主導的市場,Infineon、Vishay、ST、Nexperia等國際大廠具規模與技術優勢;PC、顯示器與消費電子復甦不確定,2026年第一季Computing營收年減51%;AI伺服器供應鏈導入時程、客戶認證與實際出貨可能落後市場預期;高壓與SiC產品需要可靠度、良率、封裝與長週期認證;若晶圓代工、封裝或關鍵原物料價格上升,毛利率可能受壓;公司客戶名稱多未公開,對單一應用或供應鏈轉換的依賴度仍需持續觀察。2027至2028年展望屬推估:若AI資料中心HVDC、液冷與高功率電源架構持續滲透,富鼎可望受惠於高壓MOSFET、SPS與DC Fan含量提升;但若國際IDM或中國本土功率元件廠加速降價競爭,成長與毛利率將面臨壓力。
本段公司基本資料整理自公開資訊(公司年報、財報、新聞與法人報告),非 finlab 回測數據;2025–2028 展望含前瞻推估,僅供參考。
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